創新風采

晶湛公佈200毫米硅襯底上

2021-01-11

中國半導體專家蘇州晶湛半導體有限公司通過利用AIXTRON 愛思強反應器,成功在200 毫米的硅基(硅基氮化鎵)上生產高壓氮化鎵HEMT(高電子遷移率晶體管)結構材料。


硅基氮化鎵電源設備憑藉其在功率器件的潛在應用,最近引起了學術界和業界的廣泛關注。由於硅芯片上異質外延生長氮化鎵技術存在缺陷干擾性,所以硅基氮化鎵電源設備具有高緩衝漏電問題。最近,晶湛半導體在200 毫米的硅基上製造出高壓氮化鎵HEMT 材料,該材料具有良好的均勻性和低緩衝漏電性能,以及<0.5 %的理想厚度均勻性(不排除邊緣區域)。在特殊條件下,可實現均勻值的進一步改善。

  

晶湛半導體的聯合創始人Cheng Kai 博士表示:“大尺寸的硅基氮化鎵已被公認爲實現氮化鎵電源設備大批量生產的最具成本效益的方法。然而,迄今爲止,翹曲度大的晶圓加上高緩衝漏電妨礙了硅基氮化鎵技術的進一步發展。我們對200 毫米硅基板的處理顯示了低漏電的高擊穿電壓(低於1600 伏)氮化鎵電源設備可在4 微米相對較薄的緩衝層實現。它們簡化了生成過程,儘可能降低了晶圓的翹曲度,並能顯著減少外延片成本。採用我們基於AIXTRON 愛思強系統的流程後,硅基氮化鎵器件或許在不久之後就能實現更高壓的性能。”


   

AIXTRON 愛思強電力電子項目副總裁Frank Wischmeyer 博士表示:“晶湛在實現優質緩衝層和材料性能方面所取得了顯著成就,顯示出我們的技術在高壓氮化鎵HEMT 應用上的實力。我們的MOCVD 技術可以實現大直徑硅基板中寬帶隙半導體的整合。AIXTRON 愛思強致力支持電力電子行業朝大量的200 毫米硅基氮化鎵器件生產發展。”